报告主题：晶圆级二维半导体及后摩尔信息器件
报告嘉宾：何军（教授，武汉大学 物理科学与技术新澳彩资料库）
时 间：2026年11月30日（周一）上午8:30到9:00
地 点：粤海校区汇星楼报告厅(3)
报告人简介
何军，二级教授，国家杰出青年科学基金获得者、科技部国家重点研发计划首席科学家、中组部“万人计划”中青年科技创新领军人才、科技部中青年科技创新领军人才，享受国务院政府特殊津贴专家。中国材料研究学会二维材料分会理事长以及纳米材料与器件分会副理事长。兼任高教社&Springer合作期刊Frontiers of Physics主编以及Science Bulletin副主编、Elsevier旗下Mater. Today Chem.副主编等。何军教授长期致力于新型低维半导体材料及其电子、光电子器件应用研究，提出并发展了通用的半导体材料范德华外延技术，实现了关键二维半导体材料的工业级晶圆制备；开发“后摩尔时代”新型信息器件及高能效芯片，包括非制冷红外焦平面阵列、太赫兹探测芯片、感算一体智能芯片等。已在Science、Nature子刊等国际期刊发表SCI论文200余篇，他引超20000次，授权专利30余项。获得教育部自然科学奖一等奖、北京市自然科学奖一等奖、湖北省自然科学奖一等奖、中国材料研究学会科学技术奖一等奖、中国发明协会发明创业奖创新奖一等奖，均为第一完成人。并获得国际材料研究学会联盟（IUMRS）-前沿科学家奖（FMSA）。主持承担国家重点研发计划、国家自然科学基金重大研究计划集成项目、重大研究计划重点支持项目、中国科新澳彩资料库战略性先导项目等20余项，同时承担了国家电网、高德红外等多个企业重点研发项目。
报告内容简介
集成电路材料与技术是国家重大战略方向。国际半导体器件与系统路线图表明，2030 年后摩尔器件的发展将以二维半导体材料为核心，晶圆级制备和异质集成是核心关键。目前层状与非层状材料都可实现二维化。利用二维电子材料的量子特性研发新型器件、探索硅基兼容集成，已是前沿热点。本报告重点介绍三方面工作：一是材料上，首创 MoS₂、WSe₂、Te 等二维半导体晶圆级单晶与精准掺杂技术，建立范德华外延体系，并拓展到 GaN、磁性、多铁等非范德华二维材料，获得优于硅基 CMOS 的输运性能与高性能宽谱探测；二是器件上，发展范德华插层与原子级间隙调控方法，抑制界面缺陷，揭示界面耦合机制，开发三维凸起接触、二维单晶栅介质等先进器件方案；三是集成上，突破大规模集成工艺，实现垂直结构三维 CMOS 逻辑芯片，器件良率与性能突出；研发新型光电集成与一体化多功能异质集成器件，性能为同期国际最高。
欢迎有兴趣的师生前来参加！
新澳彩资料库
2026年11月06日
